AI算力提升拉動光模塊需求，上游材料有望受益。AI大模型訓練刺激算力需求快速增長，拉動配套基礎設施（服務器、交換機、光模塊）建設需求，同時AI應用主要對應高速率光模塊需求，驅動光模塊往400G/800G/1.6T的高速率趨勢迭代。拆分光模塊材料成本結構，光器件成本占比約為73%，電芯片占比約18%，PCB和外殼分別占比5%、4%，其中光芯片（TOSA和ROSA）占光模塊材料成本比重超50%。受益AI算力提升拉動光模塊需求，上游材料有望受益。
砷化鎵：VCSEL激光器芯片襯底材料。砷化鎵是砷與鎵的化合物，是重要的半導體材料，砷化鎵襯底半導體器件具有高功率密度、低能耗、抗高溫、高發光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此被廣泛用于生產LED、射頻器件、激光器等器件產品。砷化鎵（GaAs）襯底可用于制作VCSEL面發射激光器芯片，主要應用于光通信（數據中心短距離傳輸）和消費電子（3D感測）等領域。
磷化銦：光通信領域關鍵材料。磷化銦是磷和銦的化合物，是重要的半導體材料，磷化銦襯底半導體器件具有飽和電子漂移速度高、發光波長適宜光纖低損通信、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高、禁帶寬度較高等特性，因此磷化銦襯底被廣泛應用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。在光通信領域，磷化銦襯底可用于制備激光器芯片、接收器芯片、電光調制器等。
鈮酸鋰：電光調制器重要材料。鈮酸鋰晶體是重要的無機材料，經過極化處理的鈮酸鋰晶體具有壓電、鐵電、光電、非線性光學、熱電等多種特性，在聲學濾波器中和光通信中都有重要應用。鈮酸鋰晶體可用于制作鈮酸鋰調制器芯片，包括體材料鈮酸鋰調制器和薄膜鈮酸鋰調制器，薄膜鈮酸鋰調制器克服了體鈮酸鋰調制器體積大的局限性，更加適用于電光調制器高速化、小型化的需求。
金屬基復合材料：光芯片基座重要材料。金屬基復合材料是重要的電子封裝材料，熱物理性能優異，具備高熱導率和低膨脹性，在電子封裝領域有重要應用。400G以上光模塊芯片對散熱要求大幅提高，需要具有低膨脹更高導熱特性的新材料來滿足要求，不同成份的鎢銅合金可以滿足400G、800G、1.6T光模塊需求，大于1.6T的光模塊則需要往更優異性能的金剛石/銅復合材料升級迭代。
投資建議：受益AI算力提升拉動數據中心等基礎設施建設需求，同時AI驅動光模塊往400G/800G/1.6T的高速率技術方向迭代，光模塊產業得到快速發展，上游光芯片等光模塊核心重要組件也受拉動。目前主要光芯片采用磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等材料制備，光芯片基座為鎢銅合金材料制備，相關材料有望受益光模塊行業需求快速發展帶來成長機遇。建議關注：斯瑞新材*（光模塊光芯片基座）、東方鉭業（鈮酸鋰原材料氧化鈮）、云南鍺業*（化合物半導體材料砷化鎵和磷化銦）、有研新材*（化合物半導體材料砷化鎵）、天通股份*（鈮酸鋰晶體）。
風險提示：下游需求波動風險，新品研發不及預期
來源：民生證券